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手機(jī)結(jié)構(gòu)件

解讀英特爾、臺(tái)積電、三星14/16納米的區(qū)別


   近日一篇〈臺(tái)積電真的超越英特爾?大客戶(hù)這樣吐槽……〉討論臺(tái)積電、三星的技術(shù)節(jié)點(diǎn)數(shù)字恐怕做過(guò)美化的問(wèn)題引起不小的關(guān)注,這樣的問(wèn)題其實(shí)在先前即為半導(dǎo)體業(yè)界所持續(xù)論戰(zhàn),并在蘋(píng)果A9芯片門(mén)事件,iPhone6sA9處理器分由臺(tái)積電、三星代工時(shí)討論來(lái)到最高峰,以實(shí)際情況而言,臺(tái)積電、三星制程技術(shù)真的跟英特爾差很大?

  半導(dǎo)體三雄納米制程到底在爭(zhēng)什么?

  臺(tái)積電、三星與英特爾的先進(jìn)制程競(jìng)賽打得火熱,在目前14/16納米之后,制程戰(zhàn)一路來(lái)到了10納米。這些數(shù)字背后的意義其實(shí)指的是「線寬」,精確一點(diǎn)而言,就是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)的閘極長(zhǎng)度(GateLength)。

  場(chǎng)效電晶體用閘極來(lái)控制電流的通過(guò)與否,以代表0或1的數(shù)位訊號(hào),也是整個(gè)結(jié)構(gòu)中最細(xì)微、復(fù)雜的關(guān)鍵,當(dāng)閘極可以縮小,電晶體體積也能跟著縮小,一來(lái)切換速度得以提升,每個(gè)芯片能塞入更多電晶體或縮小芯片體積;再者,當(dāng)閘極長(zhǎng)度愈小,閘極下方電子通道愈窄,之間的轉(zhuǎn)換效率提升、能量的耗損也能降低,收減少耗電量之效,但當(dāng)閘極太薄,源極與汲極距離愈靠近,電子也可能不小心偷溜過(guò)去產(chǎn)生漏電流,加以也有推動(dòng)力不足的問(wèn)題,這也是為何制程微縮難度愈來(lái)愈高;臺(tái)積、英特爾與三星群雄間爭(zhēng)的你死我活的原因。

  三者14/16制程節(jié)點(diǎn)數(shù)字都灌水?

  包含半導(dǎo)體芯片和系統(tǒng)還原工程與分析廠商ChipWorks、Techinsights與半導(dǎo)體分析廠商LinleyGroup都對(duì)臺(tái)積電、三星、英特爾16/14納米做過(guò)比較。

  從LinleyGroup與Techinsights實(shí)際分析的結(jié)果,包含英特爾、臺(tái)積電與三星在14/16納米實(shí)際線寬其實(shí)都沒(méi)達(dá)到其所稱(chēng)的制程數(shù)字,根據(jù)兩者的數(shù)據(jù),臺(tái)積電16納米制程實(shí)際測(cè)量最小線寬是33納米,16納米FinFETPlus線寬則為30

  納米,三星第一代14納米是30納米,14納米FinFET是20納米,英特爾14納米制程在兩家機(jī)構(gòu)測(cè)量結(jié)果分別為20納米跟24納米。

  調(diào)研TheLinleyGroup創(chuàng)辦人暨首席分析師LinleyGwennap,在2016年3月接受半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)期刊EETimes采訪時(shí),也透露了晶圓代工廠間制程的魔幻數(shù)字秘密,Gwennap指出,傳統(tǒng)表示制程節(jié)點(diǎn)的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是看閘極長(zhǎng)度,但在行銷(xiāo)的努力下,節(jié)點(diǎn)名稱(chēng)不再與實(shí)際閘極長(zhǎng)度相符合,不過(guò),差距也不會(huì)太大,Gwennap即言,三星的14納米約略等于英特爾的20納米。Gwennap認(rèn)為,臺(tái)積電與三星目前的制程節(jié)點(diǎn)仍落后于英特爾,以三星而言,14納米制程稱(chēng)作17納米會(huì)較佳,而臺(tái)積電16制程其實(shí)差不多是19納米。

  但美國(guó)知名財(cái)經(jīng)部落格TheMotleyFool技術(shù)專(zhuān)欄作家AshrafEassa從電子顯微鏡圖來(lái)看,認(rèn)為英特爾、三星甚至臺(tái)積電在三者14/16納米制程差距或許不大。AshrafEassa對(duì)比英特爾14與22納米,以及三星14納米的電子顯微鏡圖,其指出,英特爾14納米側(cè)壁的斜率要比22納米垂直,根據(jù)官方的說(shuō)法,這能使英特爾的散熱鰭片(fin)更高更瘦,以提升效能。

  而三星14納米制程電子顯微鏡圖相較起來(lái),和英特爾14納米制程還比較相近,加以AshrafEassa用臺(tái)積電宣稱(chēng)16納米FinFETPlus能比三星最佳的14納米技術(shù)在相同功率下,效能能比三星提升10%來(lái)推測(cè),臺(tái)積電16納米FinFETPlus的晶體管結(jié)構(gòu)應(yīng)與三星相差不遠(yuǎn),甚至鰭片(fin)會(huì)更加細(xì)長(zhǎng)。
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