ASML的EUV光刻機已經(jīng)成為7nm以下制程的關鍵了，三星、臺積電、Intel都在購買單價高達10億元的EUV光刻機用于生產(chǎn)。除了CPU之外，內(nèi)存工藝也會逐步導入EUV光刻機，三星之后SK海力士也要這么做。
據(jù)韓國媒體報道，全球第二大DRAM內(nèi)存供應商SK海力士已經(jīng)在研發(fā)1a nm工藝的內(nèi)存，內(nèi)部代號“南極星”，具體節(jié)點大概在15nm，預計會引入EUV光刻機生產(chǎn)。
對內(nèi)存來說，它跟CPU邏輯工藝一樣面臨著需要微縮的問題，EUV光刻機可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本，并提高性能。
不過內(nèi)存使用EUV工藝問題也不少，首要問題就是EUV光刻機售價太高，10億一臺，還要考慮到維護費用，所以初期要承擔不小的成本壓力。
目前SK海力士最先進的內(nèi)存工藝主要是1y、1z nm，今年下半年這兩種工藝將占到40%的產(chǎn)能比重。
3月初，三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預計會使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。
01月07日 18:14
