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臺(tái)積電12月初將公開5nm秘密:全面使用EUV 性能提升15%

臺(tái)積電的5nm工藝已經(jīng)研發(fā)完成,而且量產(chǎn)時(shí)間也提前了,最快明年3月份量產(chǎn),相比以往新工藝要到年中量產(chǎn)提前了差不多一個(gè)季度,同時(shí)臺(tái)積電也提升了5nm產(chǎn)能,從之前規(guī)劃的每月4.5萬片晶圓提升到每月5萬片晶圓。
   最近臺(tái)積電7nm以及16/12nm產(chǎn)能吃緊頻頻上頭條,原因就在于臺(tái)積電在晶圓代工市場(chǎng)上太強(qiáng)了,7nm大規(guī)模量產(chǎn)僅此一家,蘋果、華為、AMD都在搶著用,接下來他們就要搶5nm工藝了。
 
  臺(tái)積電的5nm工藝已經(jīng)研發(fā)完成,而且量產(chǎn)時(shí)間也提前了,最快明年3月份量產(chǎn),相比以往新工藝要到年中量產(chǎn)提前了差不多一個(gè)季度,同時(shí)臺(tái)積電也提升了5nm產(chǎn)能,從之前規(guī)劃的每月4.5萬片晶圓提升到每月5萬片晶圓。
 
  根據(jù)官方數(shù)據(jù),相較于7nm(第一代DUV),基于Cortex A72核心的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度、速度增快15%,或者功耗降低30%,同樣制程的SRAM也十分優(yōu)異且面積縮減。
 
  除此之外,今年7月份臺(tái)積電又宣布了增強(qiáng)版的N5P,也是優(yōu)化前線和后線,可在同等功耗下帶來7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低15%。
 
  還有一點(diǎn),臺(tái)積電的5nm節(jié)點(diǎn)還會(huì)全面使用EUV工藝,相比7nm EUV工藝只使用4層EUV光罩,5nm EUV工藝的光罩層數(shù)將提升到14-15層,對(duì)EUV工藝的利用更加充分。
 
  至于5nm芯片的客戶,目前蘋果及華為的5nm芯片已經(jīng)流片成功了,預(yù)計(jì)A14及華為麒麟1000(暫定名)會(huì)最先使用上5nm工藝,高通的下下代處理器驍龍875也會(huì)是臺(tái)積電5nm代工,不過進(jìn)度要比前面兩家更晚。
 
  在PC行業(yè),AMD也確定會(huì)使用臺(tái)積電的5nm工藝,預(yù)計(jì)是2021年的Zen4架構(gòu)首發(fā),同時(shí)Zen架構(gòu)也會(huì)有明顯的改進(jìn),目前還在設(shè)計(jì)中。
 
  臺(tái)積電公司日前表示,將在12月初的IEDM 2019大會(huì)上公布5nm工藝的具體情況,屆時(shí)外界可以一覽5nm工藝的具體技術(shù)秘密了。
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