在實(shí)際項(xiàng)目中，IGBT已逐漸取代MOSFET作為光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器的核心器件。新能源發(fā)電行業(yè)的迅速發(fā)展將成為IGBT行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的全新動(dòng)力。

目前我國(guó)是全球最大的IGBT需求市場(chǎng)，需求量約占全球市場(chǎng)的40%，且需求占比有望持續(xù)提升。
 

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潮電智庫(kù)整理出了2024年儲(chǔ)能逆變器IGBT廠商TOP10，由于優(yōu)秀企業(yè)過(guò)多，歡迎未上榜企業(yè)聯(lián)系潮電智庫(kù)數(shù)據(jù)研究部門(mén)。

盡管本土產(chǎn)量增速高于需求增速，但供需缺口絕對(duì)量仍有較大空間，仍以進(jìn)口為主。其中主要原因是我國(guó)功率器件整體的技術(shù)水平相對(duì)較低，產(chǎn)能主要集中于中低端產(chǎn)品范圍。在IGBT等新型功率器件這一類(lèi)高技術(shù)、高附加值的中高檔產(chǎn)品領(lǐng)域中。

不過(guò)隨著2014年，中國(guó)8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)投產(chǎn)后，也打破了國(guó)外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。同時(shí)，因中國(guó)政策推動(dòng)及市場(chǎng)牽引，使得IGBT國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程加快。其中，中國(guó)代表企業(yè)有華潤(rùn)微、士蘭微、揚(yáng)杰科技、宏微科技、比亞迪半導(dǎo)體、新潔能、捷捷微電、斯達(dá)半導(dǎo)體、蘇州固锝、積塔半導(dǎo)體、芯未半導(dǎo)體等。

總而言之，中國(guó)企業(yè)在國(guó)家政策的大力扶持下，加大研發(fā)投入，積極突破IGBT芯片設(shè)計(jì)、制造及封裝測(cè)試等關(guān)鍵技術(shù)，逐步實(shí)現(xiàn)從依賴(lài)進(jìn)口到自主可控的轉(zhuǎn)變。