6月10日消息，日前備受矚目的華虹無錫基地項目建設(shè)迎來關(guān)鍵性節(jié)點。6月6日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地（一期）12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項目首批光刻機順利進廠，這意味著該項目從基建階段進入了試生產(chǎn)準(zhǔn)備階段。
作為無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“龍頭工程”，華虹無錫基地項目自落地建設(shè)以來，吸引了眾多關(guān)注目光。該項目是華虹集團融入長三角一體化發(fā)展的重大戰(zhàn)略項目，也是無錫市歷史上引進的最大單體投資額項目。項目總投資100億美元，一期投資25億美元，新建月產(chǎn)能為4萬片的12英寸特色集成電路生產(chǎn)線，支持5G、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。
據(jù)了解，華虹無錫基地項目2018年3月2日開工、4月3日一期樁基工程啟動、10月12日廠房鋼屋架完成吊裝、12月21日主廠房結(jié)構(gòu)封頂、今年4月17日項目正式通電……460多個日日夜夜里，華虹無錫基地項目高效率推進，主要工程節(jié)點均較原計劃提前完成。華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司總裁、華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司總經(jīng)理唐均君表示，目前已有35臺相關(guān)設(shè)備搬入，其中25臺已經(jīng)完成安裝調(diào)試，預(yù)計9月進行試生產(chǎn)，12月形成量產(chǎn)能力。
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與世界一流水平的差距，其中封裝方面差距最小，最快5年追上，半導(dǎo)體制造上則需要10-15年，這部分也是國產(chǎn)最弱的一部分了。在半導(dǎo)體制造方面，國內(nèi)工藝最先進的主要是SMIC中芯國際，28nm已經(jīng)量產(chǎn)，14nm今年下半年量產(chǎn)。其次就是上海華虹集團，該公司建設(shè)了多個半導(dǎo)體制造項目，其中華虹六廠將在明年量產(chǎn)14nm工藝。
中國芯片距世界一流有多遠？
近日，北京清芯華創(chuàng)投資公司投委會主席陳大同博士表示，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了四個階段，分別為從1958-1979年封閉式發(fā)展，1979-2000年艱難轉(zhuǎn)型時期，2000-2014年中國逐漸處于市場主導(dǎo)地位，2014年以后在國家和政府指引下，產(chǎn)業(yè)迎來高速發(fā)展。
按照陳博士的觀點，當(dāng)前，中國在封裝上已基本追上世界水平，但在設(shè)計方面還要5-10年，在制造、存儲器和代工領(lǐng)域需要10-15年，在設(shè)備/材料領(lǐng)域需要10-20年才能趕超世界水平。
陳大同博士認(rèn)為，從中興事件、福建晉華、再到孟晚舟事件、最后到華為禁運，中美博弈的根本則是占領(lǐng)科技發(fā)展的制高點。中國半導(dǎo)體也陷入了中美博弈的漩渦之中，這就給中國集成電路帶來了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，但與此同時，這也會是一個機遇。
在陳大同看來，現(xiàn)在正是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域創(chuàng)業(yè)的黃金時代。
01月07日 18:14
