三星電子最近的新消息是連續(xù)不斷，就連平時默默無聞的半導體部門的工作也開始有了進展，這是推動三星大量旗艦設備工作的基礎(chǔ)。公司今天宣布用于毫米波（mmWave）5G頻譜的新一代射頻集成電路（RFIC），以及全新的數(shù)字/模擬前端（DAFE）ASIC芯片組，這些芯片將為所有下一代5G基站基礎(chǔ)設施提供動力。
這些RFIC和ASIC是網(wǎng)絡芯片組（在這種情況下為5G芯片組）的關(guān)鍵組件，最新的創(chuàng)新技術(shù)可將尺寸，重量和功耗降低25％，從而使5G基站的效率明顯提高，同時能夠更快地推出到市場。
據(jù)稱三星已宣布在美國和韓國交付超過36000臺5G基站，包括近1000個天線元件和RFIC，以實現(xiàn)5G高速數(shù)據(jù)傳輸。
三星的新RFIC采用28nm制造工藝，使其能夠以高達1.4GHz的頻率工作-與上一代RFIC的800MHz峰值頻率相比有了明顯改善。RFIC還配備了更高效的RF功率放大器，可提供直接的功率優(yōu)勢，同時最大限度地降低整體信號噪聲。
此外，這些RFIC解決方案的目標是28GHz和39GHz網(wǎng)絡，這些網(wǎng)絡頻段會運用于商業(yè)實施和公共部門。展望未來，這些RFIC還將能夠利用24GHz和47GHz等頻段，從而最大限度地擴大其與更多全球市場的聯(lián)系。
與此同時，DAFE ASIC是三星專有的5G基礎(chǔ)設施，它是數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵，將在基站中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。這些新技術(shù)旨在構(gòu)建低延遲，低功耗設備的理念，推動即時、穩(wěn)健和持久的連接標準，從而推動技術(shù)創(chuàng)新。
01月07日 18:14
