12月13日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子將向其位于中國的芯片工廠增加80億美元的投資，以提高NAND閃存芯片的產(chǎn)量。
此次投資正值內(nèi)存芯片行業(yè)預(yù)計明年出現(xiàn)反彈之際，而今年該行業(yè)增長緩慢。這在很大程度上是由于供應(yīng)不足以及市場對5G設(shè)備的需求增加。目前，世界各地都在測試5G網(wǎng)絡(luò)。
這80億美元的投資，是三星西安閃存芯片項目二期的第二階段投資。此前，在2017年，該公司宣布，計劃在3年內(nèi)向其位于西安的NAND閃存芯片工廠投資70億美元，這筆投資是三星西安閃存芯片項目二期的第一階段投資。
該公司二期項目的總投資為150億美元，預(yù)計于2021年下半年竣工，建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元。
自2014年以來，三星一直在其位于西安的工廠生產(chǎn)NAND芯片。從技術(shù)層面來說，NAND芯片可永久保存數(shù)據(jù)，是許多計算和存儲設(shè)備的一部分，可用于移動設(shè)備、存儲卡、USB閃存驅(qū)動器和固態(tài)硬盤。
此前，三星還向西安的一家檢測和包裝工廠投資了108億美元，這筆投資是三星西安閃存芯片項目的一期投資。
在NAND閃存領(lǐng)域，三星與包括韓國SK海力士（SK Hynix）、美光科技、西部數(shù)據(jù)、英特爾和東芝在內(nèi)的競爭對手展開激烈競爭。（小狐貍）
01月07日 18:14
