紫光正在加快國產(chǎn)內(nèi)存的腳步，之前他們曾表示，旗下DDR4芯片正在開發(fā)中，預(yù)計年底前完成并推向市場。據(jù)中新網(wǎng)報道稱，紫光成都存儲器制造基地項目已經(jīng)在昨天正式開工，而趙國偉表示，這個基地未來將在投資240億美元建設(shè)新的閃存工廠，主要生產(chǎn)3D NAND閃存。
按照紫光的說法，目前他們還在研發(fā)128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存，而今年年底將會量產(chǎn)32層64Gb核心的3D NAND閃存，明年會量產(chǎn)64層堆棧128Gb核心容量的閃存。
相比紫光來說，2019年開始中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)內(nèi)存、閃存，其中進展最快的是長江存儲，其正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。至于合肥長鑫、福建晉華基本將LPDDR4芯片量產(chǎn)時間定于2019年上半年。
另外，紫光之前還曾表示，在DRAM內(nèi)存芯片上，該公司已具備世界主流設(shè)計水平，但是產(chǎn)能無法保證，產(chǎn)品銷量不會太大。
01月07日 18:14
