三星今天宣布量產(chǎn)新一代的8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒，加上此前的16Gb GDDR6、16Gb DDR5內(nèi)存顆粒，三星在新一代內(nèi)存標準上已經(jīng)完成布局，目前正在加速量產(chǎn)中。與三星、美光、SK Hynix相比，國內(nèi)公司在DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)上依然是0，還處于研發(fā)階段。紫光旗下的西安紫光國芯雖然有DDR3、DDR4內(nèi)存顆粒生產(chǎn)，不過技術來源還是已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢達。
如今又一家國產(chǎn)公司開始生產(chǎn)內(nèi)存芯片了，合肥長鑫已經(jīng)投產(chǎn)8Gb LPDDR4芯片。
2017年中國進口了896億美元的存儲芯片，幾乎100%依賴進口，因此存儲芯片也是目前國內(nèi)優(yōu)先發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)。
國內(nèi)目前有三大存儲芯片基地，紫光主導的長江存儲以武漢為基地，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，預計明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存，選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點的有兩大陣營，福建晉華集團聯(lián)合臺聯(lián)電在晉江建設DRAM晶圓廠，此前與美光發(fā)生專利糾紛導致美光芯片被福州法院禁售的就是與聯(lián)電、晉江投資集團有關。
另一個DRAM基地是合肥長鑫，這個項目最初報道說是跟前日本爾必達董事長成立的公司合作，不過后者現(xiàn)在幾乎淡出，合肥長鑫現(xiàn)在的合作方是兆易創(chuàng)新，去年10月份兆易創(chuàng)新宣布斥資180億元進軍DRAM市場，與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股有限公司合作，目標是研發(fā)19nm工藝的DRAM內(nèi)存，預計在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于10%。
合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元（495億人民幣），項目建設三期工程，目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠，建成后月產(chǎn)能為12.5萬片晶圓，安徽商報表示這個產(chǎn)能將占到全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)能的8%。
來自半導體行業(yè)觀察的爆料稱，合肥兆鑫已經(jīng)正式投片，生產(chǎn)的規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑。
此外，合肥兆鑫CEO王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”上表示，合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設完成，設備也開始安裝。
根據(jù)計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17nn的研發(fā)。
從這次投產(chǎn)的時間來看，兆易創(chuàng)新/合肥長鑫的內(nèi)存研發(fā)、生產(chǎn)正在按部就班進行，推出8Gb LPDDR4只是計劃中的進度而已，不過從技術突破來看這應該是國內(nèi)公司首次投產(chǎn)LPDDR4內(nèi)存，此前紫光國芯計劃提供的也只是DDR4顆粒。
不過話說回來，不論是DDR4還是LPDDR 4顆粒，國內(nèi)公司投片生產(chǎn)雖然可喜可賀，但是從試產(chǎn)到大規(guī)模上市再到形成競爭力依然有很長的路要走，明年底的產(chǎn)能也不過2萬片晶圓/月，即便不考慮明年國際主流是LPDDR4的技術差距問題，2萬片晶圓/月的產(chǎn)能對全球每月上百萬片晶圓的產(chǎn)能來說依然不會有什么重大影響。
01月07日 18:14
