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三星今明兩年將在NAND閃存上投入150億美元:提質(zhì)增產(chǎn)

韓國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈的消息人士透露,三星今年投資在NAND Flash閃存上的資本支出預(yù)計(jì)是64億美元,2019年更是會(huì)提高到90億美元。
   今年以來(lái),F(xiàn)lash閃存供應(yīng)充足,SSD的價(jià)格從去年的高位被“打回原形”,消費(fèi)者終于可以慢慢挑選了。
 
  據(jù)Chosun Ilbo報(bào)道,韓國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈的消息人士透露,三星今年投資在NAND Flash閃存上的資本支出預(yù)計(jì)是64億美元,2019年更是會(huì)提高到90億美元。
三星今明兩年將在NAND閃存上投入150億美元:提質(zhì)增產(chǎn)
 
  這些投入首先是用于提高3D閃存的產(chǎn)能,包括位于平澤市和中國(guó)西安市的工廠,其次是先進(jìn)技術(shù)。本周,三星宣布量產(chǎn)第五代3D V-NAND閃存,采用96層堆疊、單Die 32GB容量,領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手兩年的時(shí)間。
 
  IC Insights分析指出,三星釋放信號(hào)僅是個(gè)開(kāi)端,未來(lái)幾年,SK海力士、美光、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪、長(zhǎng)江存儲(chǔ)/武漢新芯等都表態(tài)在未來(lái)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能,由此可能會(huì)出現(xiàn)供應(yīng)量剎不住車(chē)的超調(diào)風(fēng)險(xiǎn)。
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