據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)警方近日逮捕了三星SystemLSI部門的一位李姓高管，原因是他將該公司的半導(dǎo)體技術(shù)機(jī)密（三星14nm、10nm工藝）賣給了某中國(guó)公司，而對(duì)方是三星電子的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手(具體是誰未公開)。
三星14nm工藝非常卓越，GF、AMD等廠商對(duì)其非常依賴。掌握了這項(xiàng)工藝，甚至更先進(jìn)的10nm工藝，也就掌握了未來芯片行業(yè)的話語權(quán)。
一直以來，三星在半導(dǎo)體工藝方面技術(shù)精湛，一路高歌猛進(jìn)，雖然在這方面英特爾處于絕對(duì)的王者地位，但三星的突起還是令其感到了不小的壓力。
14/10nm究竟是什么？
這還得從處理器的基本組成說起。一般來說，一顆微處理器是由不同材料制成的許多"層"堆疊起來的電路，里面包含了晶體管、電阻器、以及電容器等微小元件。
這些微小元件用肉眼很難看清楚，因?yàn)樗鼈兊某叽绶浅Ｖ。⑶覕?shù)量之多，密集的讓人難以想象。
這些小元件整齊的排列在一塊"板子"上，它們相互之間都有縫隙，這個(gè)縫隙實(shí)質(zhì)就是元件與元件之間的距離，這個(gè)距離一般用毫微米進(jìn)行衡量。后來納米概念誕生后，就一直沿用"納米"（nanometers）來描述這個(gè)距離。
也就是說，14/10nm其實(shí)就是芯片上元件間的間距，這個(gè)間距越小，排列在芯片上的元件就越多。這意味著性能更加強(qiáng)大，能效表現(xiàn)更為優(yōu)異。
這也是英特爾、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。
14nm的誕生
在2014年，當(dāng)大部分廠商還在研究22nm的FinFET工藝時(shí)，英特爾已經(jīng)推進(jìn)到了14nm工藝。在芯片行業(yè)的推進(jìn)上，英特爾可以說是獨(dú)步天下。
從2007年的45nm工藝，到2009年的32nm工藝，到2011年的22nm工藝，再到2014年的14nm工藝，無與倫比的先進(jìn)制造工藝，讓全球廠商為之眼紅。
然而，看似風(fēng)光的英特爾，在推進(jìn)過程中也遇到不少難題。據(jù)英特爾稱，他們本該2013年底時(shí)就會(huì)推出14nm的測(cè)試芯片，并于2014年開始量產(chǎn)，但實(shí)際比原推進(jìn)計(jì)劃晚了幾個(gè)季度。由于14nm工藝良品率初期低得要命，直到2014年第二季度末才達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。
三星的14nm工藝
在2014年底，也就是英特爾的14nm工藝推出沒幾個(gè)月，三星就直接宣布進(jìn)入14nm工藝。
這前所未有的舉動(dòng)在業(yè)界瞬間轟動(dòng)了起來，甚至連英特爾都坐不住了。要知道，在這之前，英特爾的制造工藝在業(yè)內(nèi)是處于絕對(duì)領(lǐng)先的地位的。
三星此舉讓同為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的臺(tái)積電也自愧不如，但隨后又爆出猛料，稱臺(tái)積電前員工加入三星后，將自家的28nm工藝泄露給了三星，這對(duì)于三星14nm工藝進(jìn)度起了至關(guān)重要的作用。
這樣說也無可厚非，畢竟三星可是跳過了20nm，直接進(jìn)入了14nm工藝，并且據(jù)臺(tái)積電稱，三星的14nm工藝帶有臺(tái)積電的技術(shù)特性。
看來，三星的14nm工藝并不純正。
除此之外，臺(tái)積電高管還爆料，最早采用FinFET的16納米工藝，原本計(jì)劃跟隨英特爾，稱為20納米FinFET。因?yàn)樵摴に嚨碾娋w最小線寬(half-pitch)與量產(chǎn)的前一代20納米傳統(tǒng)電晶體工藝差不多，只是換上全新的FinFET電晶體。
然而，三星搶先命名為"14nm"！三星的出現(xiàn)，擾亂了市場(chǎng)的命名的慣例。
10nm
在14nm上逐漸趕上英特爾的三星，在10nm的研究上，幾乎和強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾站在了同一起跑線上。
然而，10nm的研究，似乎并不順利。
按照英特爾的計(jì)劃，10nm預(yù)計(jì)在2015年就能推出，由于14nm工藝的跳票，打亂了時(shí)間節(jié)點(diǎn)，并且10nm的研究中可能遇到了不小的難題。
目前，英特爾10nm工藝已經(jīng)開始試產(chǎn)，并且表示將在2017年上半年量產(chǎn)10nm，在下半年發(fā)布10nm產(chǎn)品。
反觀三星，雖然在去年展示了10nm的晶圓，并表示將在2017年量產(chǎn)10nm工藝，但是到目前為止，幾乎沒什么動(dòng)靜。
與三星同為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的臺(tái)積電卻是非常高調(diào)，宣布將在今年底開始量產(chǎn)10nm。這一點(diǎn)也是可以理解，畢竟與三星同為晶圓代工，誰先勝出，誰就能得到更多的代工業(yè)務(wù)。
不過，有專業(yè)人士透露，臺(tái)積電的16納米等于英特爾的20納米、10納米等于英特爾的12納米……在這一方面，臺(tái)積電也是積極承認(rèn)。
納米工藝的進(jìn)步，使得我們?cè)谕瑯哟笮〉男酒?，能夠感受更?qiáng)大的性能；在運(yùn)行速度更快的同時(shí)，也更加省電；這些更小的晶體元件，只需要更低的導(dǎo)通電壓，能效也會(huì)隨之提升；最為重要的是，組件越小，同一片晶圓可切割出來的芯片就可以更多。即使更小的工藝需要更昂貴的設(shè)備，其投資成本也可以被更多的晶片所抵消。
未來，7nm、5nm甚至更小的納米制造工藝也會(huì)相繼出現(xiàn)。雖然有專家分析，目前10nm工藝或許將成為硅材料晶體管的物理極限，但英特爾等廠商不會(huì)停止不前，因?yàn)?，他們?duì)于"極限"的追求是永無止境的。
01月07日 18:14
