近日，西安變電廠爆炸造成當?shù)?a target="_blank">三星晶圓廠、美光及力成封測廠出現(xiàn)電力閃斷及電功下降，預(yù)期將對存儲器市場供給造成影響，存儲器業(yè)界20日均以“西安事變”來形容此次跳電危機，而包括DRAM及NANDFlash報價也出現(xiàn)難得一見的全面上漲行情。
三星、美光、力成等業(yè)者昨日指出，對后續(xù)供貨情況不會有太大影響。但存儲器業(yè)界人士表示，半導(dǎo)體業(yè)界在過去10年當中，有關(guān)存儲器晶圓廠或封測廠發(fā)生電力閃斷的事件后，都出現(xiàn)供貨吃緊問題，因為半導(dǎo)體設(shè)備機臺跟電腦一樣，電力閃斷就好像插頭拔起幾秒再插回一樣，設(shè)備就會當機或參數(shù)跑掉，至少也要1～2周時間才有辦法回復(fù)原本正常運作。
所以，通路商預(yù)期后續(xù)DRAM及NANDFlash供貨可能吃緊，昨日均開始提高庫存水位，根據(jù)臺灣、香港、深圳三地的昨日現(xiàn)貨報價，NAND隨身碟及存儲卡價格漲幅最大，32GB/64GBUSB3.0隨身碟公板價格漲幅達5～10％，16GB/32GBMicroSD卡價格漲幅達3～5％，32GB/64GBMLC規(guī)格NANDFlash芯片漲幅達1～3％。在DRAM部分，深圳地區(qū)DRAM模組平均漲幅達3～5％左右，DDR3顆粒價格則出現(xiàn)1％左右漲幅。
集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange則表示，第3季NANDFlash供貨吃緊的態(tài)勢愈發(fā)明顯，TLC規(guī)格晶圓與存儲卡價格自4月初以來已連續(xù)3個月份逐步走揚，由于時間上已進入智慧型手機備貨旺季，三星西安廠短暫跳電導(dǎo)致供不應(yīng)求預(yù)期心理，將導(dǎo)致第3季NANDFlash市況火熱。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NANDFlash原廠持續(xù)降低對于通路的供貨比重，來滿足eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟（SSD）的需求，并同時積極轉(zhuǎn)進3DNAND，讓2DNAND的產(chǎn)出持續(xù)下滑，因此現(xiàn)貨與通路市場的貨源更顯緊縮。DRAMeXchange預(yù)估2016年第3季的TLC晶圓及存儲卡現(xiàn)貨等價格將持續(xù)調(diào)漲，第4季的NANDFlash的市況將視蘋果新一代iPhone與其他品牌智慧型手機新品上市后的銷售力道而定。
集邦指出，西安18日變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數(shù)秒，在工程師搶修設(shè)備，并快速進行線上晶圓損害清查后，目前部分產(chǎn)能已恢復(fù)生產(chǎn)。楊文得指出，依照事發(fā)當日部分產(chǎn)能已能恢復(fù)生產(chǎn)的進度來看，此次停電對三星NANDFlash的產(chǎn)出影響有限，預(yù)估當日其線上受損晶圓（Wafer-In-Process）片數(shù)約略在1萬片以內(nèi)，此缺口透過增加投片及縮短部分制程可以彌補，但此事件恐將加深第3季NANDFlash供不應(yīng)求的預(yù)期性心理。
01月07日 18:14
